土井 敦史
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*** 略歴 [#u3350ad2] #ref(IMG_6485.JPG,left,10%) -生年月日 1994年 5月 19日&br; -出身地 千葉県（出身中学校：成田市立中台中学校，出身高校：私立東京学館高等学校）&br; -趣味 [[Basketball :https://chibajets.jp/news/45469/]]&br; -研究内容 走査型プローブ顕微鏡に関する研究など&br; -日々の目標 前進し続けること．&br; ***研究業績 [#k4faaf61] 【投稿論文】 ｛第1著者｝ 1. Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope A. Doi, N. Satoh and H. Yamamoto : IEEJ Trans. on Sens. and Micro., Vol. 141 (2021) 349-355 [in Japanese] [https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/141/10/141_349/_article/-char/ja] 2. Cross-sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by atomic force microscopy/Kelvin probe force microscopy/scanning capacitance force microscopy, Atsushi Doi, Mizuki Nakajima, Sho Masuda, Nobuo Satoh, and Hidekazu Yamamoto : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 58, SIIA04 (2019) [https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab1642] 【国際発表】 ｛本人登壇分｝ 1.Observation of SiC Planar Type MOSFETs Using the Scanning Probe Microscope Under the Operating State, A. Doi, S. Matsui, T. Masuda, H. Yamamoto, and N. Satoh, International Power Electronics Conference 2022 Student Poster Competition(IPEC2022), [17-2P17] (2022/5/17). 2.Nanoscale observation of operating SiC planar type MOSFET using AFM/KFM/SCFM, A. Doi, N. Satoh, H. Yamamoto, The 9th International Symposium in Surface Science(ISSS-9), [01PS-88] (2021/12/01) . 3.Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope, Atsushi Doi, Nobuo Satoh, Hidekazu Yamamoto, 30th IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE2021), [TS-59.1] (2021/06/23) . 4.Nanoscale observation of power semiconductor devices in operation state by scanning probe microscope, A. Doi, N. Satoh and H. Yamamoto, 27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27), S7-3 (2019/12/6) 5.Observation of power semiconductor devices on cross-sectional surface by scanning probe microscope, A.Doi, N.Satoh, H.Yamamoto, Y.Miyato, H.Nozaki, H.Nakamoto, and Y.Terui, 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019), 30P-7-47 (2019/10/30) 6. Cross sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by AFM/KFM/SCFM, A. Doi, M. Nakajima, N. Satoh and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 25C08 (2018/10/25) ｛共同研究者分｝ 1. Nanoscale observation of the power semiconductor devices by scanning capacitance force microscopy and its device simulation, N. Satoh, I. Tanaka, A. Doi, A. Oda, H. Yamamoto, EPE’21 ECCE Europe, 295 (2021) 2. Investigation of power semiconductor devices under applying voltage by multi-purpose scanning probe microscope, N. Satoh, A. Doi, H. Yamamoto, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in ASIA 2020 (WiPDA-Asia), pp.32-35 (2020) 3. Nanoscale Investigation of Power Semiconductor Devices by Scanning Capacitance Force Microscopy, N. Satoh, A. Doi, S. Masuda, H. Yamamoto, EPE’19 ECCE Europe, 149 (2019/09/05) 4. Evaluation of Si SJ-MOSFET by multifunctional scanning probe microscope, Sho Masuda, Yuki Uchida, Atsushi Doi, Nobuo Satoh, and Hidekazu Yamamoto, The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama), PC03 (2018/11/19) 5. Evaluation of SiC power device by multifunctional scanning probe microscope, Yuki Uchida, Mizuki Nakajima, Sho Masuda, Atsushi Doi, Keita Nakayama, Daiki Narikawa, Masato Ogino, Nobuo Satoh and Hidekazu Yamamoto, The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama), PC04 (2018/11/19) 6. Nanoscale investigation of the silicon carbide power MOSFET by scanning probe microscope, M. Nakajima, A. Doi, Y. Uchida, M. Kojima, N. Satoh, A. Oda and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 22P043 (2018/10/22) 【国内発表】 ｛本人登壇分｝ 1. 走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測， 土井敦史，松井五月，増田匠，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-001, (2022/03/23). 2. FM-AFM/KFM/SCFMシステムによるSiC製パワー半導体デバイス動作の観測，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和，2021年電気学会 産業応用部門大会@オンライン，1-16 (2021/08/26). 3. 走査型プローブ顕微鏡を用いたSiC製パワー半導体デバイスのナノスケール観測， 土井敦史，田中一光，佐藤宣夫，山本秀和, 令和3年電気学会全国大会＠オンライン, 4-006, (2021/03/10) 4. 走査型プローブ顕微鏡によるパワー半導体素子内部構造の観測，土井敦史，増田翔，佐藤宣夫，山本秀和，2019年電気学会 産業応用部門大会@長崎大学，Y-34 (2019/08/20). 5. AFM/KFM/SCFMによるSiパワーMOSFET断面構造のナノスケール観測，土井敦史，中島瑞貴，増田翔，佐藤宣夫，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学(2019/03/12). 6. 走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測，土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，平成30年電気学会 産業応用部門大会@横浜国立大学，Y-55 (2018/08/28). 7. 走査型プローブ顕微鏡による太陽電池用材料のナノスケール観測， 土井敦史，望月翔太，佐藤宣夫， 平成30年 電気学会全国大会@九州大学, 2-091 (2018/03/15). ｛共同研究者分｝ 1. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製プレーナ型パワーMOSFETのナノスケール観測，増田 匠，土井敦史，山本秀和，佐藤宣夫，令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, Y-21, (2022/08/30). 2. 観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討， 松井五月，増田 匠，土井敦史，山本秀和，佐藤宣夫，令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, Y-12, (2022/08/30). 3. 実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討， 松井五月，増田 匠，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-003, (2022/03/23). 4. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測， 増田 匠，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-002, (2022/03/23). 5. ナノスケール観測データを用いたパワー半導体デバイス動作の数値解析，田中一光，土井敦史，佐藤宣夫，第65回システム制御情報学会研究発表講演会＠オンライン，Gsa-01-3(2021/05/26) 6. 走査型プローブ顕微鏡用の電圧フィードバック制御回路の小型化とその周波数特性， 山田晃嵩，土井敦史，佐藤宣夫, 令和3年電気学会全国大会＠オンライン, 3-021, (2021/03/09). 7. パワーMOSFET内のドーパント分布 および内部状態変化の走査プローブ顕微鏡解，宮戸 祐治，中元 宏明，野崎 博樹，照井 裕二，土井 敦史，山本 秀和，佐藤 宣夫，第39回ナノティングシンポジウム＠国際ファッションセンター(2019/11/18). 8. 走査型プローブ顕微鏡によるSiC power-MOSFETの構造観察とその解析，中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学(2019/03/12) 9. 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSi SJ-MOSFETの評価， 増田翔，内田悠貴，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，20a-PA6-5（2018/09/20） 10. 多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価， 内田悠貴，土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，20a-PA6-6（2018/09/20） 11. 走査型プローブ顕微鏡によるSiCパワーMOSFETの構造観察とその解析， 中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和， 平成30年電気学会 産業応用部門大会@横浜国立大学，Y-53 (2018/08/28). 【その他発表】 1.走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測， 土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，ローカルPE道場(@千葉工業大学) (2018/12/25). ***人生の指針 [#k525714b] ・https://www.youtube.com/watch?v=KIGRCGb2RDg（成功のマインドセット || コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=Voy3tOdj2Zk（受験・就職・転職を悩んでいる人へ || トニー・ロビンズ） ・https://www.youtube.com/watch?v=sOlkyICHgsA（なりたい自分になる為に） ・https://www.youtube.com/watch?v=n_0iPFzkNaQ（志高く、今を生きろ || モチベーション） ・https://www.youtube.com/watch?v=WyWZdVFGgug（コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=2WbASg-ETdQ（積み重ねが最高の瞬間を呼び寄せる || コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=vlIpAdYzaNk&t=1s（コービー・ブライアントの引退スピーチで全米が泣いた理由） ・https://www.youtube.com/watch?v=ekAWaDn4XxA&t=33s（Dear Basketball） ・https://www.youtube.com/watch?v=D_0rAQTqAeI（絶対やる気が出るモチベーション動画！【コービー】Motivational Video with Kobe Bryant!） ・https://www.youtube.com/watch?v=z-WSBCTtRI4（【コービー・ブライアント】世界中の人々に多大な影響を与えたバスケ界のレジェンド kobe bryant Mixtape） ・https://www.youtube.com/watch?v=iKLpukf4RBc（コービー・ブライアントの人生）&br; ※あなたの意志を忘れず，常に更なる高みを目指し続けます．初めて知ってから17年間，本当にありがとう！！&br; RIP blackmamba. ・https://www.youtube.com/watch?v=NFsu87in3Rs（【渡邊雄太】見れば１００％やる気が出るモチベーション動画） *** 人生の目標[#zcdef86d] ・たくさんの人にやりがいを与える研究者になること ・人を尊重し，自身を誇りに思う人になること ・より良いものを願い，叶うために前を向き続けること
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*** 略歴 [#u3350ad2] #ref(IMG_6485.JPG,left,10%) -生年月日 1994年 5月 19日&br; -出身地 千葉県（出身中学校：成田市立中台中学校，出身高校：私立東京学館高等学校）&br; -趣味 [[Basketball :https://chibajets.jp/news/45469/]]&br; -研究内容 走査型プローブ顕微鏡に関する研究など&br; -日々の目標 前進し続けること．&br; ***研究業績 [#k4faaf61] 【投稿論文】 ｛第1著者｝ 1. Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope A. Doi, N. Satoh and H. Yamamoto : IEEJ Trans. on Sens. and Micro., Vol. 141 (2021) 349-355 [in Japanese] [https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas/141/10/141_349/_article/-char/ja] 2. Cross-sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by atomic force microscopy/Kelvin probe force microscopy/scanning capacitance force microscopy, Atsushi Doi, Mizuki Nakajima, Sho Masuda, Nobuo Satoh, and Hidekazu Yamamoto : Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 58, SIIA04 (2019) [https://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab1642] 【国際発表】 ｛本人登壇分｝ 1.Observation of SiC Planar Type MOSFETs Using the Scanning Probe Microscope Under the Operating State, A. Doi, S. Matsui, T. Masuda, H. Yamamoto, and N. Satoh, International Power Electronics Conference 2022 Student Poster Competition(IPEC2022), [17-2P17] (2022/5/17). 2.Nanoscale observation of operating SiC planar type MOSFET using AFM/KFM/SCFM, A. Doi, N. Satoh, H. Yamamoto, The 9th International Symposium in Surface Science(ISSS-9), [01PS-88] (2021/12/01) . 3.Observation of Power MOSFET Composed of Silicon Carbide with a Planar Type in the Voltage Applying State Using a Scanning Probe Microscope, Atsushi Doi, Nobuo Satoh, Hidekazu Yamamoto, 30th IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE2021), [TS-59.1] (2021/06/23) . 4.Nanoscale observation of power semiconductor devices in operation state by scanning probe microscope, A. Doi, N. Satoh and H. Yamamoto, 27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27), S7-3 (2019/12/6) 5.Observation of power semiconductor devices on cross-sectional surface by scanning probe microscope, A.Doi, N.Satoh, H.Yamamoto, Y.Miyato, H.Nozaki, H.Nakamoto, and Y.Terui, 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2019), 30P-7-47 (2019/10/30) 6. Cross sectional observation in nanoscale for Si power MOSFET by AFM/KFM/SCFM, A. Doi, M. Nakajima, N. Satoh and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 25C08 (2018/10/25) ｛共同研究者分｝ 1. Nanoscale observation of the power semiconductor devices by scanning capacitance force microscopy and its device simulation, N. Satoh, I. Tanaka, A. Doi, A. Oda, H. Yamamoto, EPE’21 ECCE Europe, 295 (2021) 2. Investigation of power semiconductor devices under applying voltage by multi-purpose scanning probe microscope, N. Satoh, A. Doi, H. Yamamoto, IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in ASIA 2020 (WiPDA-Asia), pp.32-35 (2020) 3. Nanoscale Investigation of Power Semiconductor Devices by Scanning Capacitance Force Microscopy, N. Satoh, A. Doi, S. Masuda, H. Yamamoto, EPE’19 ECCE Europe, 149 (2019/09/05) 4. Evaluation of Si SJ-MOSFET by multifunctional scanning probe microscope, Sho Masuda, Yuki Uchida, Atsushi Doi, Nobuo Satoh, and Hidekazu Yamamoto, The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama), PC03 (2018/11/19) 5. Evaluation of SiC power device by multifunctional scanning probe microscope, Yuki Uchida, Mizuki Nakajima, Sho Masuda, Atsushi Doi, Keita Nakayama, Daiki Narikawa, Masato Ogino, Nobuo Satoh and Hidekazu Yamamoto, The 8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018 (Okayama), PC04 (2018/11/19) 6. Nanoscale investigation of the silicon carbide power MOSFET by scanning probe microscope, M. Nakajima, A. Doi, Y. Uchida, M. Kojima, N. Satoh, A. Oda and H. Yamamoto, 14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14)in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26), 22P043 (2018/10/22) 【国内発表】 ｛本人登壇分｝ 1. 走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測， 土井敦史，松井五月，増田匠，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-001, (2022/03/23). 2. FM-AFM/KFM/SCFMシステムによるSiC製パワー半導体デバイス動作の観測，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和，2021年電気学会 産業応用部門大会@オンライン，1-16 (2021/08/26). 3. 走査型プローブ顕微鏡を用いたSiC製パワー半導体デバイスのナノスケール観測， 土井敦史，田中一光，佐藤宣夫，山本秀和, 令和3年電気学会全国大会＠オンライン, 4-006, (2021/03/10) 4. 走査型プローブ顕微鏡によるパワー半導体素子内部構造の観測，土井敦史，増田翔，佐藤宣夫，山本秀和，2019年電気学会 産業応用部門大会@長崎大学，Y-34 (2019/08/20). 5. AFM/KFM/SCFMによるSiパワーMOSFET断面構造のナノスケール観測，土井敦史，中島瑞貴，増田翔，佐藤宣夫，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学(2019/03/12). 6. 走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測，土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，平成30年電気学会 産業応用部門大会@横浜国立大学，Y-55 (2018/08/28). 7. 走査型プローブ顕微鏡による太陽電池用材料のナノスケール観測， 土井敦史，望月翔太，佐藤宣夫， 平成30年 電気学会全国大会@九州大学, 2-091 (2018/03/15). ｛共同研究者分｝ 1. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製プレーナ型パワーMOSFETのナノスケール観測，増田 匠，土井敦史，山本秀和，佐藤宣夫，令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, Y-21, (2022/08/30). 2. 観測データを用いたSiCプレーナ型MOSFETの数値計算モデルの検討， 松井五月，増田 匠，土井敦史，山本秀和，佐藤宣夫，令和4年電気学会 産業応用部門大会@上智大学, Y-12, (2022/08/30). 3. 実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討， 松井五月，増田 匠，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-003, (2022/03/23). 4. FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測， 増田 匠，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 令和4年電気学会全国大会@オンライン, 4-002, (2022/03/23). 5. ナノスケール観測データを用いたパワー半導体デバイス動作の数値解析，田中一光，土井敦史，佐藤宣夫，第65回システム制御情報学会研究発表講演会＠オンライン，Gsa-01-3(2021/05/26) 6. 走査型プローブ顕微鏡用の電圧フィードバック制御回路の小型化とその周波数特性， 山田晃嵩，土井敦史，佐藤宣夫, 令和3年電気学会全国大会＠オンライン, 3-021, (2021/03/09). 7. パワーMOSFET内のドーパント分布 および内部状態変化の走査プローブ顕微鏡解，宮戸 祐治，中元 宏明，野崎 博樹，照井 裕二，土井 敦史，山本 秀和，佐藤 宣夫，第39回ナノティングシンポジウム＠国際ファッションセンター(2019/11/18). 8. 走査型プローブ顕微鏡によるSiC power-MOSFETの構造観察とその解析，中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和，平成31年電気学会全国大会@北海道科学大学(2019/03/12) 9. 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSi SJ-MOSFETの評価， 増田翔，内田悠貴，土井敦史，佐藤宣夫，山本秀和， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，20a-PA6-5（2018/09/20） 10. 多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価， 内田悠貴，土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和， 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会＠名古屋国際会議場，20a-PA6-6（2018/09/20） 11. 走査型プローブ顕微鏡によるSiCパワーMOSFETの構造観察とその解析， 中島瑞貴，土井敦史，内田悠貴，小嶋正宏，佐藤宣夫，小田昭紀，山本秀和， 平成30年電気学会 産業応用部門大会@横浜国立大学，Y-53 (2018/08/28). 【その他発表】 1.走査型プローブ顕微鏡によるSiパワー半導体デバイス断面構造のナノスケール観測， 土井敦史，中島瑞貴，佐藤宣夫，山本秀和，ローカルPE道場(@千葉工業大学) (2018/12/25). ***人生の指針 [#k525714b] ・https://www.youtube.com/watch?v=KIGRCGb2RDg（成功のマインドセット || コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=Voy3tOdj2Zk（受験・就職・転職を悩んでいる人へ || トニー・ロビンズ） ・https://www.youtube.com/watch?v=sOlkyICHgsA（なりたい自分になる為に） ・https://www.youtube.com/watch?v=n_0iPFzkNaQ（志高く、今を生きろ || モチベーション） ・https://www.youtube.com/watch?v=WyWZdVFGgug（コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=2WbASg-ETdQ（積み重ねが最高の瞬間を呼び寄せる || コービー・ブライアント） ・https://www.youtube.com/watch?v=vlIpAdYzaNk&t=1s（コービー・ブライアントの引退スピーチで全米が泣いた理由） ・https://www.youtube.com/watch?v=ekAWaDn4XxA&t=33s（Dear Basketball） ・https://www.youtube.com/watch?v=D_0rAQTqAeI（絶対やる気が出るモチベーション動画！【コービー】Motivational Video with Kobe Bryant!） ・https://www.youtube.com/watch?v=z-WSBCTtRI4（【コービー・ブライアント】世界中の人々に多大な影響を与えたバスケ界のレジェンド kobe bryant Mixtape） ・https://www.youtube.com/watch?v=iKLpukf4RBc（コービー・ブライアントの人生）&br; ※あなたの意志を忘れず，常に更なる高みを目指し続けます．初めて知ってから17年間，本当にありがとう！！&br; RIP blackmamba. ・https://www.youtube.com/watch?v=NFsu87in3Rs（【渡邊雄太】見れば１００％やる気が出るモチベーション動画） *** 人生の目標[#zcdef86d] ・たくさんの人にやりがいを与える研究者になること ・人を尊重し，自身を誇りに思う人になること ・より良いものを願い，叶うために前を向き続けること
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